2017年3月27日，為紀念施敏教授“浮動閘極存儲效應(Floating Gate Memory)”發(fā)明50周年，“非揮發(fā)性存儲 – 數(shù)字時代的技術(shù)推動力”國際研討會在臺灣交通大學舉辦。
本次研討會邀請了施敏教授等7位在非揮發(fā)性存儲技術(shù)領(lǐng)域的頂尖國際專家演講，并分享了他們對未來存儲技術(shù)發(fā)展趨勢的觀點。中國科學院院士、中國科學院微電子器件與集成技術(shù)重點實驗室主任劉明等來自全球各地的百余名業(yè)界專家學者、企業(yè)代表和交通大學學生參加了本次研討會。我公司代表也應邀參加了了本次活動 。
50年前，施敏教授和其領(lǐng)導的團隊發(fā)明了浮動閘極存儲效應技術(shù)，從而引發(fā)了在非揮發(fā)性存儲技術(shù)方面的科技革命并一直延續(xù)到今天。浮動閘極存儲效應的發(fā)明為后來一系列存儲器件（包括Flash存儲器和EEPROM等）的誕生創(chuàng)造了條件，是移動電話、筆記本電腦、IC卡、數(shù)碼相機及便攜式電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，對人類科技進步產(chǎn)生了積極推動作用，尤其是對存儲器領(lǐng)域的進步產(chǎn)生了重大影響。
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