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9月9日，關注FD-SOI工藝的2016上海FD-SOI論壇開幕，來自業界的約280位公司CEO，研究院所和技術高管齊聚，我司代表應邀參加了此次論壇。
會議由芯原股份有限公司創始人董事長兼總裁戴偉民主持。中國科學院院士，上海微系統與信息技術研究所所長王曦，華芯投資總裁路軍、中科院微電子所所長葉甜春在會上分別致辭，祝賀論壇的舉辦。
戴偉民博士作了題為《打造中國的FD-SOI生態系統》的演講，從FD-SOI技術工藝、FD-SOI在中國的發展現狀和未來在中國的發展趨勢等幾個方面與與會來賓進行了深入的分析與交流。
圖為芯原股份有限公司創始人董事長兼總裁戴偉民主持論壇
中國科學院上海微系統與信息技術研究所所長王曦在論壇致辭中說道： “2016年是對IC行業非常好的一年，FD-SOI是個非常高性價比的方案，中國在FD-SOI應用發揮了巨大的作用”。華芯投資總裁路軍認為FD-SOI的高性能和低功耗將成為FinFET工藝的有力補充。
圖為中國科學院院士，上海微系統與信息技術研究所所長王曦
圖為華芯投資總裁路軍致開幕詞
圖為中科院微電子所所長葉甜春在發表演講
科院微電子所所長葉甜春在講話中表示：他見證了FD-SOI不斷壯大，在未來物聯網大數據日益走熱的背景下，FD-SOI如果有大規模商用，是不是要考慮一個商業模式問題？FD-SOI有天然的優勢，是不是要考慮終端廠家從產品定義角度來發揮這個工藝的優勢？
會上，三星LSI執行副總裁Jong-Shik
Yoon、格羅方德產品管理高級副總裁Alain Mutricy、索尼物聯網事業部總經理Nobuyasu Matsuoka、ARM物理IP總經理Will Abbey、格羅方德首席技術官兼全球研發高級副總裁Gary Patton、IBS首席執行官Handel
Jones、CEA-Leti首席執行官Marie-Noelle
Semeria、復旦微電子總工程師沈磊、Invecas首席執行官Dasaradha Gude、Ineda Systems副總裁Manoher Bommena、Soitec首席執行官Paul Boudre、聯芯科技高級副總裁成飛、格羅方德副總裁Subramani
Kengeri、展訊通訊首席執行官李力游等與會專家從多方位、多角度的方面闡述了FD-SOI的廣泛應用，與會專家一致表示未來FD-SOI在中國的發展前景潛力巨大，FD-SOI與FinFET的互補,是中國芯片業彎道超車機會，助力中國半導體業快速崛起。
目前晶圓制造工藝有多種選擇，其中以FinFET工藝和FD-SOI工藝最具代表性。FinFET（鰭式場效晶體管）工藝是目前主流的晶圓制造工藝，被包括臺積電，三星，英特爾，聯電等晶圓廠廣泛采用。2011年，英特爾公司正式推出商業化的FinFET工藝同時使用22nm工藝，目前16nm及14nm工藝也已近成功量產。FinFET工藝性能先進，功耗低，面積小，適合生產制造手機，平板電腦等便攜鏟平處理器。FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）工藝具有工藝簡單，成本低，兼容性強等優勢，有望成為其30納米以下的工藝節點中成本效益最高的制造工藝，并及Bulk CMOS工藝的有力替補。
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