3月23日，中國科學院合肥物質科學研究院承擔的STS重點項目“大功率集成電路封測技術與應用示范”啟動會在應用技術所召開。寧波諾丁漢大學崔平研究員，中科院半導體所陳弘達研究員、云南大學柳清菊教授、中科院電工研究所王文靜研究員、合肥市半導體行業協會陶鴻常務副理事長、安徽建筑大學劉瑾教授、合肥工業大學崔鵬教授等七名專家組成員，中科院科技促進發展局付廣義處長，項目負責人及骨干成員近三十人參加會議。啟動會由中科院合肥研究院科發處鄧國慶處長主持。
會上，中科院科技促進發展局付廣義處長首先介紹了STS項目的來源、背景以及項目實施的必要性、重要性，指出大功率器件的散熱是集成電路領域的“卡脖子”問題之一，希望通過該項目實施，提升我國核心器件的自主研發能力。
項目負責人田興友研究員匯報了項目的研究背景及目標、研究內容與實施方案、項目預期成果等，并就項目管理、經費使用等提出了具體要求。本項目旨在實現集成電路熱管理材料的規模化制備，帶動相關封裝工藝與測試技術的發展與變革，服務于以IGBT為典型的大功率器件封測領域，系統解決大功率器件的散熱瓶頸問題。
專家組在認真聽取匯報后，一致認為該項目目標明確，考核指標清晰，任務設計合理，實施方案可行，希望課題組在項目實施過程中加強各承擔單位間的緊密合作與協同研究，并加強與下游骨干企業的合作，以促進研發成果得到真正有效應用。專家組還提出了相關具體的指導意見和要求。此次會議明確了項目管理要求，討論修訂了項目組織管理辦法，完善了項目具體實施方案等，對項目的順利實施起到了重要的推動作用，具有重要意義。
中科院STS重點項目—“大功率集成電路封測技術與應用示范”(項目編號：KFJ-STS-ZDTP-069)，由中科院合肥物質科學研究院作為牽頭單位，中科院半導體研究所，中科院微電子研究所，中科院上海硅酸鹽研究所，中科院深圳先進技術研究院，中科院光電技術研究院作為參與單位共同承擔。該項目旨在開展先進熱管理材料與典型器件封裝技術的應用示范研究，顯著提升電子封裝材料的熱管理效能，形成包括新型聚合物基、陶瓷基等若干新材料體系及其規模化制備技術；實現IGBT和MOSFET兩類典型汽車功率芯片熱點處溫度顯著降低，建立貫穿設計制備、器件集成、服役評價的全鏈條共性服務平臺，推動新型熱管理材料和封裝技術在集成電路核心器件中的應用和產業化示范。
（轉自中國科學院合肥研究院網站） |
