3月26日上午，由安徽省外國專家局主辦，合肥高新技術產業開發區、中國科技大學微電子學院、安徽大學電子信息工程學院、合肥市半導體行業協會承辦的施敏院士-海外名師大講堂在書法大廈隆重舉辦。省經濟和信息化廳副廳長王厚亮出席了活動。本次大講堂由合肥市半導體行業協會理事長陳軍寧主持。
施敏教授帶來了題為“浮柵存儲器：從概念到閃存到第四次工業革命的演變（The Floating-Gate Memory, from Concept to Flash Memory to the Fourth Industrial Revolution）”的學術報告。施敏教授回顧了他本人發明浮柵結構非揮發性存儲器的具體過程，講述了浮柵存儲器的工作原理、優點和隨后的發展歷程，詳細介紹了浮柵存儲器的廣泛的應用和對經濟社會發展的深遠影響，分析了浮柵存儲器在尺寸微縮過程中面臨的挑戰以及各類新型非易失存儲器的優點和前景。在互動環節，施敏教授一一回答了參會代表提出的問題，并鼓勵正在或者即將投身半導體事業的有識之士努力奮斗，為中國集成電路產業實現中國芯貢獻自己的力量！
來自協會會員單位晶合集成電路、宏晶微電子等企業組織研發人員、在職培訓人員等參加了本次活動，此外安徽大學、合肥學院的相關專業師生共計300余人參加了本次講座。
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施敏，1936年出生于南京，美籍華人。現任中國工程院外籍院士、美國國家工程院院士、中國臺灣中央研究院院士、中國臺灣工業研究院院士、IEEE Life Fellow。1991年獲得IEEE電子器件最高榮譽獎（Ebers獎）；2017年與Gordon E Moore（摩爾定律之父）共同獲得IEEE Celebrated Member（尊榮會員）稱號，目前全球僅10位科學家獲此殊榮，包括1973年諾貝爾物理獎得主Leo Esaki、2000年諾貝爾物理獎得主Herbert Kroemer及2009年諾貝爾物理獎得主George E. Smith。
施敏先生是國際著名的微電子科學技術與半導體器件專家和教育家，是非揮發MOS場效應記憶晶體管（NVSM）的發明者，在金半接觸、微波器件及金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術等領域作出了奠基性、前瞻性和開創性的貢獻（2017 IEDM Plenary Awards評）。施敏先生發明的非揮發MOS場效應記憶晶體管（閃存）已成為當今世界上集成電路產業主導產品之一，是移動電話、筆記本電腦、IC卡、數碼相機及便攜式電子產品的關鍵部件，還促進了人工智能、大數據、云計算、物聯網、機器人和固態驅動器等技術的發展。因此項發明，他已多次獲得諾貝爾物理獎提名。
施敏先生在微電子科學技術著作方面舉世聞名，所著的《半導體器件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)是目前全世界所有工程及應用科學領域最暢銷的教科書之一，曾被翻譯成六種語言，銷售超過600萬冊，引用次數達47500多次，有“半導體界的圣經”之稱。
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